Spis treści

Spis Treści
Wykaz ważniejszych oznaczeń literowych 1. Układy elektroniczne, przyrządy i modele 1.1. Wprowadzenie 1.1.1. Sterowanie mocą i przyrządy aktywne 1.1.2. Podzespoły, modele i elementy 1.2. Przyrząd aktywny na ciele stałym 1.2.1. Struktura fizyczna 1.2.2. Zasada pracy 1.2.3. Układ zastępczy 1.3. Podstawowy układ wzmacniacza 1.3.1. Analiza graficzna 1.3.2. Przepływ energii 1.3.3. Metody graficzne w bardziej złożonych układach 1.3.4. Wzmacnianie liniowe 1.3.5. Sprzężenie i polaryzacja 1.4. Modelowanie i analiza liniowych układów aktywnych 1.4.1. Model małosygnałowy 1.4.2. Małosygnałowa analiza wzmacniacza 1.5. Rozwinięcie tematu Zadania 2. Mechanizm przewodzenia w półprzewodnikach 2.1. Metale i półprzewodniki 2.1.1. Nośniki ładunku w metalach 2.1.2. Zjawisko Halla 2.1.3. Obojętność ładunku 2.1.4. Nośniki ładunku w półprzewodnikach 2.1.5. Półprzewodniki domieszkowane 2.1.6. Doświadczalne potwierdzenie istnienia dwóch rodzajów nośników 2.2. Koncentracja nośników 2.2.1. Koncentracje równowagowe nośników 2.2.2. Zależność równowagowych koncentracji nośników od temperatury 2.2.3. Stany nierównowagi - nośniki nadmiarowe 2.3. Rekombinacja i generacja nośników nadmiarowych 2.4. Transport nośników prądu 2.4.1. Unoszenie w polu elektrycznym 2.4.2. Dyfuzja wynikająca z gradientu koncentracji 2.4.3. Przepływ wskutek unoszenia i dyfuzji 2.4.4. Zależności Einsteina Zadania Wskazówki do demonstracji 3. Rozkład i przepływ nośników ładunku w półprzewodnikach 3.1. Wprowadzenie 3.2. Wstrzykiwanie optyczne do obszaru bez rekombinacji 3.2.1. Rozkłady koncentracji i prądów 3.2.2. Rola pola elektrycznego 3.3. Wpływ rekombinacji na przepływ nośników 3.3.1. Obliczenie prądu traconego wskutek rekombinacji 3.3.2. Zmodyfikowana zasada zachowania 3.4. Półprzewodniki niejednorodnie domieszkowane i pole wewnętrzne 3.4.1. Stan równowagi 3.4.2. Przepływ nośników mniejszościowych 3.5. Przegląd rozważań dotyczących przepływu Zadania 4. Elektronika fizyczna diody warstwowej. 4.1. Wprowadzenie 4.2. Złącze p-n 4.2.1. Stan równowagi 4.2.2. Zakłócenie równowagi w złączu p-n 4.2.3. Przepływ prądu w złączu p-n 4 2 4. Koncentracje nośników na granicach warstwy zaporowej 4.3. Model fizyczny złącza p-n 4.3.1. Rozkład i przepływ nośników mniejszościowych 4.3.2. Charakterystyka prądowo-napięciowa diody warstwowej 4.3.3. Zależność charakterystyki diody idealnej od temperatury 4.4. Własności dynamiczne złącza p-n 4.4.1. Zapasy ładunków w warstwie zaporowej 4.4.2. Zapasy ładunków w obszarach neutralnych 4.5. Struktura diody warstwowej 4.5.1. Kontakty i złącza metal-półprzewodnik 4.5.2. Statyczne charakterystyki napięciowo-prądowe 4.6. Fotodiody złączowe Zadania Wskazówki do demonstracji 5. Konstrukcja i wytwarzanie przyrządów półprzewodnikowych 5.1. Wprowadzenie 5.2. Wytwarzanie struktur półprzewodnikowych 5.2.1. Kompensacja i dyfuzja w ciele stałym 5.2.2. Warstwy tlenku i selektywna obróbka powierzchni 5.2.3. Kontakty metalowe 5.3. Podstawowe podzespoły półprzewodnikowe 5.3.1. Diody półprzewodnikowe 5.3.2. Kondensatory 5.3.3. Rezystory 5.4. Układy scalone 5.4.1. Przykład układu 5.4.2. Modelowanie układu i elementy pasożytnicze 5.4.3. Masowa obróbka płytek 5.4.4. Układy scalone w elektronice Zadania 6. Modele i układy z diodami 6.1. Wprowadzenie 6.2. Modele diody odcinkami liniowe 6.2.1. Opis diody 6.2.2. Analiza układu odcinkami liniowego 6.2.3. Dokładniejsze modele diody 6.3. Małosygnałowe modele i analiza diody 6.3.1. Modele małosygnałowe 6.3.2. Bramki diodowe 6.4. Układy przetwarzania mocy 6.4.1. Układy prostowników 6.4.2. Filtrowanie tętnień 6.4.3. Charakterystyka obciążenia 6.5. Diody półprzewodnikowe specjalne 6.5.1. Diody Zenera 6.5.2. Diody tunelowe Zadania 7. Bipolarne tranzystory złączowe 7.1. Tranzystory złączowe jako zawory sterowane 7.2. Działanie tranzystora bipolarnego 7.2.1. Wewnętrzne zjawiska fizyczne 7.2.2. Symbole tranzystora w schematach i zmienne końcówkowe 7.2.3. Tranzystor jako zawór sterowany 7.3. Układy zastępcze dla wolnozmiennych sygnałów przy pracy w obszarze aktywnym 7.3.1. Prądy końcówkowe w obszarze aktywnym 7.3.2. Generatory sterowane i układy zastępcze 7.3.3. Układy zastępcze zawierające prąd nasycenia złącza kolektorowego 7.3.4. Granice obszaru aktywnego 7.3.5. Układy zastępcze dla tranzystorów n-p-n 7.4. Przykłady analizy układu tranzystorowego 7.4.1. Wzmacniacz ze wspólnym emiterem 7.4.2. Zrównoważony wzmacniacz prądu stałego 7.4.3. Stabilizator napięcia 7.5. Działanie tranzystora przy granicznych napięciach kolektorowych 7.5.1. Zmiany szerokości bazy 7.5.2. Powielanie lawinowe w kolektorze Zadania 8. Dynamiczne układy zastępcze tranzystorów bipolarnych 8.1. Praca w warunkach dynamicznych i obszary magazynowania ładunku 8.1.1. Magazynowanie ładunku w obszarach neutralnych 8.1.2. Magazynowanie ładunku w warstwach ładunku przestrzennego 8.1.3. Porównanie ładunków zmagazynowanych w obszarze neutralnym i w warstwie ładunku przestrzennego 8.2. Zastosowania ładunkowego układu zastępczego tranzystora 8.2.1. Wzmacniacz prądowy w konfiguracji wspólnego emitera 8.2.2. Wzmacniacz sterowany napięciowo 8.2.3. Wzmacniacz z obciążeniem rezystywnym Zadania 9. Tranzystor unipolarny z izolowaną bramką 9.1. Wprowadzenie 9.2. Elektryczne właściwości powierzchni półprzewodnika 9.2.1. Powierzchniowe koncentracje nośników 9.2.2. Warstwy: zubożona, inwersyjna i akumulacyjna 9.3. Prądowo-napięciowe charakterystyki statyczne tranzystora MOS 9.3.1. Charakterystyki drenowe dla napięcia Uds dużo mniejszego od napięcia Uqs 9.3.2. Charakterystyki drenowe dla napięcia Uds porównywalnego z napięciem Uqs 9.3.3. Charakterystyki drenowe dla napięcia Ujjg większego od napięcia Uqc . 9.3.4. Efekt ładunku powierzchniowego 9.4. Dynamiczne modele tranzystorów MOS 9.4.1. Efekty pojemnościowe 9.4.2. Czas przejścia 9.5. Zastosowania układowe tranzystorów MOS 9.5.1. Wzmacniacze ze wspólnym źródłem 9.5.2. Rezystancje liniowe sterowane napięciowo Zadania 10. Złączowy tranzystor unipolarny 10.1. Struktura fizyczna 10.2. Statyczne charakterystyki drenowe 10.2.1. Praca z małymi napięciami źródło-dren 10.2.2. Praca poniżej stanu odcięcia 10.2.3. Praca powyżej stanu odcięcia 10.3. Własności dynamiczne 10.4. Porównanie złączowych tranzystorów FET z tranzystorami MOSFET Zadania 11. Małosygnałowe modele tranzystorów 11.1. Liniowa praca układów aktywnych 11.2. Małosygnałowe modele przyrządów aktywnych 11.2.1. Sposoby modelowania 11.2.2. Wybór zmiennych i oznaczenia 11.3. Małosygnałowe modele tranzystorów unipolarnych 11.3.1. Linearyzacja modeli wielkosygnałowych 11.3.2. Małosygnałowy model obwodowy 11.3.3. Elementy zewnętrzne 11.3.4. Malosygnałowe modele tranzystorów unipolarnych: p-kanałowego i złączowego 11.4. Małosygnałowe modele tranzystorów bipolarnych 11.4.1. Małosygnałowe właściwości fizyczne 11.4.2. Małosygnałowy model obwodowy 11.4.3. Elementy zewnętrzne 11.4.4. Modele tranzystorów n-p-n 11.5. Zastosowania modeli małosygnałowych 11.5.1. Wzmacniacz o wspólnym emiterze 11.5.2. Wzmacniacz o wspólnym kolektorze 11.5.3. Przesuwnik fazy z tranzystorem unipolarnym 11.5.4. Stabilizator napięcia Zadania 12. Określanie parametrów małosygnałowych 12.1. Opisy czwórnika 12.1.1. Parametry y 12.1.2. Parametry z 12.1.3. Parametry h 12.1.4. Parametry g 12.1.5. Oznaczenie konfiguracji tranzystora 12.1.6. Ogólne uwagi o parametrach czwórnikowych 12.2. Pomiary parametrów hybrydowe n 12.2.1. Określenie gm na podstawie Ic 12.2.2. Określenie rn na podstawie gm i Bo 12.2.3. Określenie Cu na podstawie C22b 12.2.4. Określenie C(Pi) na podstawie Cu, gm, Wt 12.2.5. Określenie rb 12.2.6. Podsumowanie 12.3. Zmiana parametrów hybrydowe Pi z napięciem, prądem i temperaturą 12.3.1. Zależność od prądu kolektora 12.3.2. Zależność od napięcia kolektora 12.3.3. Zależność temperaturowa . 12.3.4. Podsumowanie 12.3.5. Porównanie wyników z pewnymi danymi doświadczalnymi 12.3.6. Przykłady określania parametrów hybrydowe n z danych katalogowych 12.4. Małosygnałowe parametry tranzystora unipolarnego 12.4.1. Pomiar gm 12.4.2. Pomiar Cgd i Cgs Zadania 13. Polaryzacja tranzystorów unipolarnych i bipolarnych 13.1. Pojęcia wstępne 13.1.1. Dopuszczalny obszar pracy 13.1.2. Wybór położenia i stabilizacja punktu pracy 13.2. Układy polaryzujące dla tranzystorów unipolarnych 13.2.1. Prosty układ polaryzacji dla tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką pracującego w warunkach wzbogacania 13.2.2. Obwód polaryzujący o podwyższonej stabilizacji 13.2.3. Obwody polaryzacji dla tranzystora unipolarnego pracującego w warunkach zubożania 13.3. Prosty obwód polaryzujący dla konfiguracji o wspólnym emiterze 13.3.1. Analiza 13.3.2. Przykład 13.4. Praktyczny obwód polaryzujący dla konfiguracji o wspólnym emiterze 13.4.1. Analiza 13.4.2. Projektowanie „poradnikowe" 13.4.3. Przykład 13.5. Szczegółowe projektowanie układu polaryzacji 13.5.1. Wyprowadzenie równań projektowych 13.5.2. Przykład 13.5.3. Projektowanie dla zadanej amplitudy sygnału wyjściowego 13.5.4. Przykład 13.5.5. Zmiany parametrów spowodowane tolerancją produkcji 13.6. Projektowanie układu polaryzacji dla tranzystorów germanowych 13.6.1. Wyprowadzenie równań polaryzacji 13.6.2. Przykład projektowania „poradnikowego" 13.6.3. Przykład szczegółowego projektowania układu polaryzacji dla tranzystora germanowego (p-n-p) 13.7. Polaryzacja tranzystora pracującego w innej konfiguracji 13.7.1. Konfiguracja o wspólnej bazie 13.7.2. Konfiguracja o wspólnym drenie i wspólnym kolektorze 13.8. Pokazy doświadczalne do wykładów 13.8.1. Wybór punktu pracy 13.8.2. Efekt temperaturowy w tranzystorze spolaryzowanym Zadania 14. Obliczenia charakterystyk w zakresie małych i wielkich częstotliwości. 14.1. Kondensatory sprzęgające 14.1.1. Modele obwodowe tranzystorów bipolarnych w ograniczonym zakresie częstotliwości 14.1.2. Modele obwodowe tranzystorów unipolarnych w ograniczonym zakresie częstotliwości 14.1.3. Wybór pojemności Cc we wzmacniaczu o wspólnym źródle 14.1.4. Przykład: wzmacniacz o wspólnym źródle 14.1.5. Wybór pojemności Cc we wzmacniaczu z tranzystorem bipolarnym 14.2. Kondensator blokujący emiter lub źródło do ziemi 14.2.1. Obliczenia kondensatora blokującego we wzmacniaczu z tranzystorem bipolarnym 14.2.2. Przykład: wzmacniacz o wspólnym emiterze 14.2.3. Kondensator blokujący źródło do ziemi 14.3. Układy polaryzacji z kondensatorami sprzęgającym i blokującym 14.3.1. Wybór pojemności Cc i Ce we wzmacniaczu z tranzystorem unipolarnym 14.3.2. Wybór pojemności Cc i Ce we wzmacniaczu o wspólnym emiterze 14.3.3. Przykład 14.4. Wybór pojemności Cc i Ce w innych konfiguracjach układowych 14.4.1. Układ o wspólnej bazie 14.4.2. Układy wtórnikowe 14.5. Praca wzmacniaczy o wspólnym emiterze w zakresie wielkich częstotliwości . 14.5.1. Funkcja przenoszenia 14.5.2. Aproksymacja jednobiegunowa 14.5.3. Przykład: analiza 14.5.4. Przykład: projektowanie 14.6. Praca wzmacniaczy o wspólnym źródle w zakresie wielkich częstotliwości 14.6.1. Funkcja przenoszenia 14.6.2. Przykład 14.7. Charakterystyki i odpowiedź skokowa jednostopniowego wzmacniacza w szerokim zakresie częstotliwości 14.7.1. Przybliżona funkcja przenoszenia (tylko dominujące bieguny) 14.7.2. Przykład: obliczenie rezystancji R0 we wzmacniaczu z tranzystorem bipolarnym 14.7.3. Charakterystyka częstotliwościowa 14.7.4. Odpowiedź skokowa 14.7.5. Badanie falą prostokątną Zadania 15. Wzmacniacze wielostopniowe 15.1. Analiza wzmacniacza kaskadowego: wzmocnienie i pasmo 15.1.1. Wzmocnienie 15.1.2. Równania węzłowe 15.1.3. Obliczanie pasma za pomocą komputera 15.1.4. Obliczanie pasma w przypadku biegunów zespolonych 15.1.5. Odpowiedź na uskok jednostkowy 15.2. Projektowanie przy użyciu rozwarciowych stałych czasowych 15.2.1. Związek między wg a pierwszymi dwoma składnikami mianownika funkcji przenoszenia 15.2.2. Znajdowanie a1/a0 oraz an-1/an na podstawie oględzin sieci 15.2.3. Związek między wg a rozwarciowymi stałymi czasowymi 15.2.4. Przykład 15.2.5. Użyteczny sprawdzian obliczeniowy 15.2.6. Projektowanie układów wielostopniowych 15.3. Projektowanie wzmacniacza kaskadowego dla dolnych częstotliwości 15.3.1. Obliczanie wartości rezystorów 15.3.2. Obliczanie wartości kondensatorów sprzęgających i blokujących 15.3.3. Sprawdzenie projektu za pomocą komputera Zadania 16. Dalsze przykłady wzmacniaczy wielostopniowych 16.1. Projektowanie kaskady wzmacniaczy ze wspólnym emiterem 16.1.1. Obliczanie wzmocnienia 16.1.2. Obliczanie pasma 16.1.3. Sprawdzenie projektu 16.1.4. Zagadnienie polaryzacji 16.2. Wzmacniacz ze sprzężeniem emiterowym 16.2.1. Wstępna analiza 16.2.2. Projektowanie 16.2.3. Sprawdzenie projektu za pomocą komputera 16.3. Wzmacniacze wielostopniowe złożone równocześnie z tranzystorów unipolarnych i bipolarnych 16.3.1. Układ wspólne źródło-wspólna- baza 16.3.2. Układ wspólny dren-wspólna baza 16.4. Rozbudowane układy wielostopniowe Zadania 17. Tranzystorowe wzmacniacze rezonansowe 17.1. Analiza jednostopniowego wzmacniacza rezonansowego 17.1.1. Rezonans równoległy w pasywnym obwodzie RLC 17.1.2. Wzmacniacz tranzystorowy z obciążeniem RLC 17.1.3. Niestabilność 17.1.4. Zestrajalność 17.2. Przykład: pojedynczy stopień wzmacniacza rezonansowego o wspólnym emiterze 17.2.1. Wzmacniacz 455 kHz z pojedynczym obwodem rezonansowym 17.2.2. Wzmacniacz 455 kHz z obwodami rezonansowymi na wejściu i wyjściu 17.2.3. Wielorezonansowe strojenie 17.2.4. Wzmacniacz rezonansowy 10,7 MHz 17.3. Przykład: wzmacniacz rezonansowy o sprzężeniu emiterowym 17.4. Pokazy doświadczalne do wykładów Zadania 18. Sprzężenie zwrotne 18.1. Podstawowe własności wzmacniaczy ze sprzężeniem zwrotnym 18.1.1. Wzmocnienie 18.1.2. Zmniejszenie wrażliwości 18.1.3. Wpływ sprzężenia zwrotnego na sygnały uboczne 18.1.4. Wpływ sprzężenia zwrotnego na zniekształcenia 18.1.5. Podsumowanie 18.2. Cztery podstawowe topologie układów ze sprzężeniem zwrotnym 18.3. Analiza i projektowanie układów wykorzystujących porównanie węzła i próbkowanie węzła 18.3.1. Analiza czwórnikowa 18.3.2. Interpretacja układowa k i B 18.3.3. Przykład projektowania 18.3.4. Wzmocnienie pętli 18.3.5. Admitancje wejściowa i wyjściowa 18.3.6. Podsumowanie 18.4. Analiza i projektowanie układów wykorzystujących porównanie i próbkowanie oczka 18.4.1. Analiza czwórnikowa 18.4.2. Interpretacja układowa k i B 18.4.3. Przykład 18.5. Układy sprzężenia zwrotnego wykorzystujące porównanie węzła i próbkowanie oczka 18.6. Sprzężenie zwrotne wykorzystujące porównanie oczka i próbkowanie węzła 18.7. Podsumowanie 18.8. Pokazy doświadczalne do wykładów 18.8.1. Zmniejszenie przydźwięku sieci 18.8.2. Zmniejszenie zniekształceń Zadania 19. Odpowiedz wzmacniacza ze sprzężeniem zwrotnym w stanie ustalonym i przejściowym: miejsce geometryczne pierwiastków 19.1. Problem stabilności 19.2. Obliczanie miejsca geometrycznego pierwiastków 19.2.1. Konstrukcja przybliżonych miejsc geometrycznych pierwiastków 19.2.2. Przykład obliczenia miejsca geometrycznego pierwiastków 19.2.3. Kryteria przydatności odpowiedzi 19.2.4. Kompensacja: modyfikacja układu sprzężenia zwrotnego 19.2.5. Kompensacja: dodanie pojemności do wzmacniacza podstawowego 19.2.6. Równoczesna modyfikacja k i p° 19.2.7. Kompensacja przez dodanie zer do k(s) 19.2.8. Podsumowanie 19.3. Przykłady projektowania 19.3.1. Oczkowo-oczkowe sprzężenie zwrotne 19.3.2. Wzmacniacz ze sprzężeniem zwrotnym, wykorzystujący porównanie oczka i próbkowanie węzła 19.4. Pokazy doświadczalne do wykładów Zadania 20. Projektowanie wzmacniaczy ze sprzężeniem zwrotnym ze względu 20.1. Teoria 20.1.1. Kryterium Nyquista 20.1.2. Kryteria przydatności odpowiedzi 20.2. Przykład obliczeń na osi urojonej 20.2.1. Projekt wstępny 20.2.2. Kompensacja: zmniejszenie przesunięcia fazy dla górnych częstotliwości' 20.2.3. Kompensacja: dodanie kondensatora do wzmacniacza podstawowego 20.3. Niestabilność dla dolnych częstotliwości Zadania 21. Praca tranzystorów bipolarnych poza obszarem aktywnym 21.1. Układy zastępcze dla dowolnych wartości napięć na złączach 21.1.1. Ładunek w obszarze neutralnym bazy 21.1.2. Podział na składowe: normalną i zwrotną 21.2. Statyczne układy zastępcze Ebersa-Molla 21.2.1. Układ zastępczy Ebersa-Molla dla tranzystora p-n-p 21.2.2. Układ zastępczy Ebersa-Molla dla tranzystora n-p-n 21.2.3. Układy zastępcze o uzależnieniu od prądów zewnętrznych 21.3. Dynamiczne układy zastępcze 21.3.1. Ładunkowy układ zastępczy tranzystora p-n-p 21.3.2. Związki pomiędzy parametrami ładunkowego układu zastępczego i układu Ebersa-Molla 21.3.3. Ładunkowy układ zastępczy dla tranzystora p-n-p z uwzględnieniem pojemności warstw ładunku przestrzennego 21.3.4. Związki między ładunkowym układem zastępczym a układem typu hybrydowe n 21.3.5. Ładunkowy układ zastępczy tranzystora n-p-n 21.4. Obszary pracy tranzystora 21.4.1. Praca w obszarze aktywnym 21.4.2. Obszar odcięcia 21.4.3. Obszar nasycenia 21.5. Zastosowania układów zastępczych Ebersa-Molla 21.5.1. Określenie wartości parametrów 2Ł5.2. Charakterystyki przenoszenia wzmacniacza 21.5.3. Charakterystyki statyczne przełącznika tranzystorowego Zadania 22. Jednostopniowe układy cyfrowe 22.1. Niektóre podstawowe właściwości układów cyfrowych 22.2. Właściwości statyczne inwertora tranzystorowego 22.2.1. Charakterystyka przenoszenia 22.2.2. Właściwości logiczne 22.2.3. Warunki na stany statyczne. 22.3. Przejścia pomiędzy stanami 22.3.1. Przejście przez obszar odcięcia 22.3.2. Stany przejściowe w obszarze aktywnym 22.3.3. Obszar nasycenia 22.3.4. Czas magazynowania (przeciągania) 22.3.5. Czas opadania 22.3.6. Powrót do stanu ustalonego 22.4. Kondensator przyspieszający 22.5. Określenie wartości parametrów ładunkowego układu zastępczego tranzystora 22.5.1. Określenie parametrów na podstawie bezpośredniego pomiaru 22.5.2. Określenie parametrów ładunkowych na podstawie danych katalogowych 22.6. Rozwiązywanie równań ładunkowych za pomocą komputera 22.6.1. Metoda Runge-Kutta (czwartego rzędu) 22.6.2. Przykład: prosty inwertor 22.7. Pokazy doświadczalne do wykładów 22.7.1. Wprowadzenie 22.7.2. Stan przejściowy w procesie włączania 22.7.3. Stan przejściowy w procesie wyłączania 22.7.4. Kondensator przyspieszający Zadania 23. Wielostopniowe układy cyfrowe (nieregeneracyjne) 23.1. Klasyfikacja układów cyfrowych 23.2. Tranzystorowo-rezystorowe układy logiczne o sprzężeniu bezpośrednim (DCTL, RTL) 23.2.1. Układy bramkujące RTL NOR 23.2.2. Margines napięciowy 23.2.3. Obciążalność wyjścia 23.2.4. Stopnie separujące 23.2.5. Szybkość przełączania 23.3. Inne przykłady nasyconych układów logicznych 23.3.1. Diodowo-tranzystorowy układ logiczny (DTL) . 23.3.2. Tranzystorowo-tranzystorowy układ logiczny (TTL, TZL) 23.4. Układy nienasycone 23.4.1. Zastosowanie diod poziomujących w celu zapobieżenia nasyceniu 23.4.2. Układy logiczne o sprzężeniu emiterowym (CML) 23.4.3. Podstawowy układ bramkujący CML OR-NOR 23.4.4. Metody sprzęgania układów CML 23.4.5. Odpowiedź układów CML na pobudzenie skokowe 23.5. Tranzystory polowe jako elementy przełączające 23.5.1. Charakterystyki przełączania 23.5.2. Bramki logiczne MOS 23.6. Pokazy doświadczalne do wykładów Zadania 24. Wielostopniowe regeneracyjne układy przełączające 24.1. Bistabilne regeneracyjne układy przełączające 24.1.1. Podstawowy układ bistabilny 24.1.2. Zagadnienie stabilności 24.1.3. Analiza dwóch stanów stabilnych 24.1.4. Obliczanie małosygnałowej wartości transmitancji pętli 24.1.5. Zestawienie warunków bistabilności 24.1.6. Szybkość przełączania 24.1.7. Zagadnienie wyzwalania 24.1.8. Inne układy bistabilne 24.2. Układy monostabilne 24.2.1. Układ symetryczny 24.2.2. Inne układy monostabilne 24.2.3. Warunki pracy monostabilnej 24.3. Układy astabilne 24.3.1. Układ symetryczny 24.3.2. Układ o sprzężeniu emiterowym 24.3.3. Warunki pracy astabilnej . 24.4. Pokazy doświadczalne do wykładów Zadania Dodatek A. Modele i układy z lampami elektronowymi A.1. Wprowadzenie A.2. Konstrukcja j zasada działania diod i triod próżniowych A.2.1. Konstrukcja triody A.2.2. Emisja termoelektronowa A.2.3. Własności struktury dwuelektrodowej - dioda A.2.4. Wpływ siatki A.2.5. Diody i triody jako podzespoły układów A.3. Podstawowy układ wzmacniacza A.3.1. Analiza graficzna A.3.2. Przepływ energii A.3.3. Metody graficzne w bardziej złożonych układach A.3.4. Wzmacnianie liniowe A.3.5. Sprzężenie i polaryzacja A.4. Modelowanie i analiza liniowych układów aktywnych A.4.I. Model małosygnałowy A.4.2. Małosygnałowa analiza wzmacniacza Zadania Dodatek B. Elektronika fizyczna lampy próżniowej i modele układowe B.1.Elektronika fizyczna lamp próżniowych . B.1.1 Analiza statyczna diody i prawo trzech drugich B.1.2. Zjawiska dynamiczne w diodach B.1.3. Analiza statyczna triody B.1.4. Zjawiska dynamiczne w triodach B.1.5. Lampy wielosiatkowe B.2. Modele układowe lamp elektronowych B.2.1. Modele diod odcinkami liniowe B.2.2. Modele triod odcinkami liniowe B.2.3. Modele małosygnałowe triod B.2.4. Modele układowe pentod Zadania Dodatek C. Program na obliczanie częstotliwości własnych sieci RC napisany w języku FORTRAN IV C.1. Sposób posługiwania się programem C.2. Program Dodatek D. Program na obliczanie częstotliwości własnych sieci napisany w języku ABL. D.1. Przykłady posługiwania się programem D.2. Program Literatura Literatura dodatkowa do wydania polskiego Skorowidz

Spis Treści

Wykaz ważniejszych oznaczeń literowych

1. Układy elektroniczne, przyrządy i modele
1.1. Wprowadzenie
1.1.1. Sterowanie mocą i przyrządy aktywne
1.1.2. Podzespoły, modele i elementy
1.2. Przyrząd aktywny na ciele stałym
1.2.1. Struktura fizyczna
1.2.2. Zasada pracy
1.2.3. Układ zastępczy
1.3. Podstawowy układ wzmacniacza
1.3.1. Analiza graficzna
1.3.2. Przepływ energii
1.3.3. Metody graficzne w bardziej złożonych układach
1.3.4. Wzmacnianie liniowe
1.3.5. Sprzężenie i polaryzacja
1.4. Modelowanie i analiza liniowych układów aktywnych
1.4.1. Model małosygnałowy
1.4.2. Małosygnałowa analiza wzmacniacza
1.5. Rozwinięcie tematu
Zadania

2. Mechanizm przewodzenia w półprzewodnikach
2.1. Metale i półprzewodniki
2.1.1. Nośniki ładunku w metalach
2.1.2. Zjawisko Halla
2.1.3. Obojętność ładunku
2.1.4. Nośniki ładunku w półprzewodnikach
2.1.5. Półprzewodniki domieszkowane
2.1.6. Doświadczalne potwierdzenie istnienia dwóch rodzajów nośników
2.2. Koncentracja nośników
2.2.1. Koncentracje równowagowe nośników
2.2.2. Zależność równowagowych koncentracji nośników od temperatury
2.2.3. Stany nierównowagi - nośniki nadmiarowe
2.3. Rekombinacja i generacja nośników nadmiarowych
2.4. Transport nośników prądu
2.4.1. Unoszenie w polu elektrycznym
2.4.2. Dyfuzja wynikająca z gradientu koncentracji
2.4.3. Przepływ wskutek unoszenia i dyfuzji
2.4.4. Zależności Einsteina
Zadania
Wskazówki do demonstracji

3. Rozkład i przepływ nośników ładunku w półprzewodnikach
3.1. Wprowadzenie
3.2. Wstrzykiwanie optyczne do obszaru bez rekombinacji
3.2.1. Rozkłady koncentracji i prądów
3.2.2. Rola pola elektrycznego
3.3. Wpływ rekombinacji na przepływ nośników
3.3.1. Obliczenie prądu traconego wskutek rekombinacji
3.3.2. Zmodyfikowana zasada zachowania
3.4. Półprzewodniki niejednorodnie domieszkowane i pole wewnętrzne
3.4.1. Stan równowagi
3.4.2. Przepływ nośników mniejszościowych
3.5. Przegląd rozważań dotyczących przepływu
Zadania

4. Elektronika fizyczna diody warstwowej.
4.1. Wprowadzenie
4.2. Złącze p-n
4.2.1. Stan równowagi
4.2.2. Zakłócenie równowagi w złączu p-n
4.2.3. Przepływ prądu w złączu p-n
4 2 4. Koncentracje nośników na granicach warstwy zaporowej
4.3. Model fizyczny złącza p-n
4.3.1. Rozkład i przepływ nośników mniejszościowych
4.3.2. Charakterystyka prądowo-napięciowa diody warstwowej
4.3.3. Zależność charakterystyki diody idealnej od temperatury
4.4. Własności dynamiczne złącza p-n
4.4.1. Zapasy ładunków w warstwie zaporowej
4.4.2. Zapasy ładunków w obszarach neutralnych
4.5. Struktura diody warstwowej
4.5.1. Kontakty i złącza metal-półprzewodnik
4.5.2. Statyczne charakterystyki napięciowo-prądowe
4.6. Fotodiody złączowe
Zadania
Wskazówki do demonstracji

5. Konstrukcja i wytwarzanie przyrządów półprzewodnikowych
5.1. Wprowadzenie
5.2. Wytwarzanie struktur półprzewodnikowych
5.2.1. Kompensacja i dyfuzja w ciele stałym
5.2.2. Warstwy tlenku i selektywna obróbka powierzchni
5.2.3. Kontakty metalowe
5.3. Podstawowe podzespoły półprzewodnikowe
5.3.1. Diody półprzewodnikowe
5.3.2. Kondensatory
5.3.3. Rezystory
5.4. Układy scalone
5.4.1. Przykład układu
5.4.2. Modelowanie układu i elementy pasożytnicze
5.4.3. Masowa obróbka płytek
5.4.4. Układy scalone w elektronice
Zadania

6. Modele i układy z diodami
6.1. Wprowadzenie
6.2. Modele diody odcinkami liniowe
6.2.1. Opis diody
6.2.2. Analiza układu odcinkami liniowego
6.2.3. Dokładniejsze modele diody
6.3. Małosygnałowe modele i analiza diody
6.3.1. Modele małosygnałowe
6.3.2. Bramki diodowe
6.4. Układy przetwarzania mocy
6.4.1. Układy prostowników
6.4.2. Filtrowanie tętnień
6.4.3. Charakterystyka obciążenia
6.5. Diody półprzewodnikowe specjalne
6.5.1. Diody Zenera
6.5.2. Diody tunelowe
Zadania

7. Bipolarne tranzystory złączowe
7.1. Tranzystory złączowe jako zawory sterowane
7.2. Działanie tranzystora bipolarnego
7.2.1. Wewnętrzne zjawiska fizyczne
7.2.2. Symbole tranzystora w schematach i zmienne końcówkowe
7.2.3. Tranzystor jako zawór sterowany
7.3. Układy zastępcze dla wolnozmiennych sygnałów przy pracy w obszarze aktywnym
7.3.1. Prądy końcówkowe w obszarze aktywnym
7.3.2. Generatory sterowane i układy zastępcze
7.3.3. Układy zastępcze zawierające prąd nasycenia złącza kolektorowego
7.3.4. Granice obszaru aktywnego
7.3.5. Układy zastępcze dla tranzystorów n-p-n
7.4. Przykłady analizy układu tranzystorowego
7.4.1. Wzmacniacz ze wspólnym emiterem
7.4.2. Zrównoważony wzmacniacz prądu stałego
7.4.3. Stabilizator napięcia
7.5. Działanie tranzystora przy granicznych napięciach kolektorowych
7.5.1. Zmiany szerokości bazy
7.5.2. Powielanie lawinowe w kolektorze
Zadania

8. Dynamiczne układy zastępcze tranzystorów bipolarnych
8.1. Praca w warunkach dynamicznych i obszary magazynowania ładunku
8.1.1. Magazynowanie ładunku w obszarach neutralnych
8.1.2. Magazynowanie ładunku w warstwach ładunku przestrzennego
8.1.3. Porównanie ładunków zmagazynowanych w obszarze neutralnym i w warstwie ładunku przestrzennego
8.2. Zastosowania ładunkowego układu zastępczego tranzystora
8.2.1. Wzmacniacz prądowy w konfiguracji wspólnego emitera
8.2.2. Wzmacniacz sterowany napięciowo
8.2.3. Wzmacniacz z obciążeniem rezystywnym
Zadania

9. Tranzystor unipolarny z izolowaną bramką
9.1. Wprowadzenie
9.2. Elektryczne właściwości powierzchni półprzewodnika
9.2.1. Powierzchniowe koncentracje nośników
9.2.2. Warstwy: zubożona, inwersyjna i akumulacyjna
9.3. Prądowo-napięciowe charakterystyki statyczne tranzystora MOS
9.3.1. Charakterystyki drenowe dla napięcia Uds dużo mniejszego od napięcia Uqs
9.3.2. Charakterystyki drenowe dla napięcia Uds porównywalnego z napięciem Uqs
9.3.3. Charakterystyki drenowe dla napięcia Ujjg większego od napięcia Uqc .
9.3.4. Efekt ładunku powierzchniowego
9.4. Dynamiczne modele tranzystorów MOS
9.4.1. Efekty pojemnościowe
9.4.2. Czas przejścia
9.5. Zastosowania układowe tranzystorów MOS
9.5.1. Wzmacniacze ze wspólnym źródłem
9.5.2. Rezystancje liniowe sterowane napięciowo
Zadania

10. Złączowy tranzystor unipolarny
10.1. Struktura fizyczna
10.2. Statyczne charakterystyki drenowe
10.2.1. Praca z małymi napięciami źródło-dren
10.2.2. Praca poniżej stanu odcięcia
10.2.3. Praca powyżej stanu odcięcia
10.3. Własności dynamiczne
10.4. Porównanie złączowych tranzystorów FET z tranzystorami MOSFET
Zadania

11. Małosygnałowe modele tranzystorów
11.1. Liniowa praca układów aktywnych
11.2. Małosygnałowe modele przyrządów aktywnych
11.2.1. Sposoby modelowania
11.2.2. Wybór zmiennych i oznaczenia
11.3. Małosygnałowe modele tranzystorów unipolarnych
11.3.1. Linearyzacja modeli wielkosygnałowych
11.3.2. Małosygnałowy model obwodowy
11.3.3. Elementy zewnętrzne
11.3.4. Malosygnałowe modele tranzystorów unipolarnych: p-kanałowego i złączowego
11.4. Małosygnałowe modele tranzystorów bipolarnych
11.4.1. Małosygnałowe właściwości fizyczne
11.4.2. Małosygnałowy model obwodowy
11.4.3. Elementy zewnętrzne
11.4.4. Modele tranzystorów n-p-n
11.5. Zastosowania modeli małosygnałowych
11.5.1. Wzmacniacz o wspólnym emiterze
11.5.2. Wzmacniacz o wspólnym kolektorze
11.5.3. Przesuwnik fazy z tranzystorem unipolarnym
11.5.4. Stabilizator napięcia
Zadania

12. Określanie parametrów małosygnałowych
12.1. Opisy czwórnika
12.1.1. Parametry y
12.1.2. Parametry z
12.1.3. Parametry h
12.1.4. Parametry g
12.1.5. Oznaczenie konfiguracji tranzystora
12.1.6. Ogólne uwagi o parametrach czwórnikowych
12.2. Pomiary parametrów hybrydowe n
12.2.1. Określenie gm na podstawie Ic
12.2.2. Określenie rn na podstawie gm i Bo
12.2.3. Określenie Cu na podstawie C22b
12.2.4. Określenie C(Pi) na podstawie Cu, gm, Wt
12.2.5. Określenie rb
12.2.6. Podsumowanie
12.3. Zmiana parametrów hybrydowe Pi z napięciem, prądem i temperaturą
12.3.1. Zależność od prądu kolektora
12.3.2. Zależność od napięcia kolektora
12.3.3. Zależność temperaturowa .
12.3.4. Podsumowanie
12.3.5. Porównanie wyników z pewnymi danymi doświadczalnymi
12.3.6. Przykłady określania parametrów hybrydowe n z danych katalogowych
12.4. Małosygnałowe parametry tranzystora unipolarnego
12.4.1. Pomiar gm
12.4.2. Pomiar Cgd i Cgs
Zadania

13. Polaryzacja tranzystorów unipolarnych i bipolarnych
13.1. Pojęcia wstępne
13.1.1. Dopuszczalny obszar pracy
13.1.2. Wybór położenia i stabilizacja punktu pracy
13.2. Układy polaryzujące dla tranzystorów unipolarnych
13.2.1. Prosty układ polaryzacji dla tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką pracującego w warunkach wzbogacania
13.2.2. Obwód polaryzujący o podwyższonej stabilizacji
13.2.3. Obwody polaryzacji dla tranzystora unipolarnego pracującego w warunkach zubożania
13.3. Prosty obwód polaryzujący dla konfiguracji o wspólnym emiterze
13.3.1. Analiza
13.3.2. Przykład
13.4. Praktyczny obwód polaryzujący dla konfiguracji o wspólnym emiterze
13.4.1. Analiza
13.4.2. Projektowanie „poradnikowe"
13.4.3. Przykład
13.5. Szczegółowe projektowanie układu polaryzacji
13.5.1. Wyprowadzenie równań projektowych
13.5.2. Przykład
13.5.3. Projektowanie dla zadanej amplitudy sygnału wyjściowego
13.5.4. Przykład
13.5.5. Zmiany parametrów spowodowane tolerancją produkcji
13.6. Projektowanie układu polaryzacji dla tranzystorów germanowych
13.6.1. Wyprowadzenie równań polaryzacji
13.6.2. Przykład projektowania „poradnikowego"
13.6.3. Przykład szczegółowego projektowania układu polaryzacji dla tranzystora germanowego (p-n-p)
13.7. Polaryzacja tranzystora pracującego w innej konfiguracji
13.7.1. Konfiguracja o wspólnej bazie
13.7.2. Konfiguracja o wspólnym drenie i wspólnym kolektorze
13.8. Pokazy doświadczalne do wykładów
13.8.1. Wybór punktu pracy
13.8.2. Efekt temperaturowy w tranzystorze spolaryzowanym
Zadania

14. Obliczenia charakterystyk w zakresie małych i wielkich częstotliwości.
14.1. Kondensatory sprzęgające
14.1.1. Modele obwodowe tranzystorów bipolarnych w ograniczonym zakresie częstotliwości
14.1.2. Modele obwodowe tranzystorów unipolarnych w ograniczonym zakresie częstotliwości
14.1.3. Wybór pojemności Cc we wzmacniaczu o wspólnym źródle
14.1.4. Przykład: wzmacniacz o wspólnym źródle
14.1.5. Wybór pojemności Cc we wzmacniaczu z tranzystorem bipolarnym
14.2. Kondensator blokujący emiter lub źródło do ziemi
14.2.1. Obliczenia kondensatora blokującego we wzmacniaczu z tranzystorem bipolarnym
14.2.2. Przykład: wzmacniacz o wspólnym emiterze
14.2.3. Kondensator blokujący źródło do ziemi
14.3. Układy polaryzacji z kondensatorami sprzęgającym i blokującym
14.3.1. Wybór pojemności Cc i Ce we wzmacniaczu z tranzystorem unipolarnym
14.3.2. Wybór pojemności Cc i Ce we wzmacniaczu o wspólnym emiterze
14.3.3. Przykład
14.4. Wybór pojemności Cc i Ce w innych konfiguracjach układowych
14.4.1. Układ o wspólnej bazie
14.4.2. Układy wtórnikowe
14.5. Praca wzmacniaczy o wspólnym emiterze w zakresie wielkich częstotliwości .
14.5.1. Funkcja przenoszenia
14.5.2. Aproksymacja jednobiegunowa
14.5.3. Przykład: analiza
14.5.4. Przykład: projektowanie
14.6. Praca wzmacniaczy o wspólnym źródle w zakresie wielkich częstotliwości
14.6.1. Funkcja przenoszenia
14.6.2. Przykład
14.7. Charakterystyki i odpowiedź skokowa jednostopniowego wzmacniacza w szerokim zakresie częstotliwości
14.7.1. Przybliżona funkcja przenoszenia (tylko dominujące bieguny)
14.7.2. Przykład: obliczenie rezystancji R0 we wzmacniaczu z tranzystorem bipolarnym
14.7.3. Charakterystyka częstotliwościowa
14.7.4. Odpowiedź skokowa
14.7.5. Badanie falą prostokątną
Zadania

15. Wzmacniacze wielostopniowe
15.1. Analiza wzmacniacza kaskadowego: wzmocnienie i pasmo
15.1.1. Wzmocnienie
15.1.2. Równania węzłowe
15.1.3. Obliczanie pasma za pomocą komputera
15.1.4. Obliczanie pasma w przypadku biegunów zespolonych
15.1.5. Odpowiedź na uskok jednostkowy
15.2. Projektowanie przy użyciu rozwarciowych stałych czasowych
15.2.1. Związek między wg a pierwszymi dwoma składnikami mianownika funkcji przenoszenia
15.2.2. Znajdowanie a1/a0 oraz an-1/an na podstawie oględzin sieci
15.2.3. Związek między wg a rozwarciowymi stałymi czasowymi
15.2.4. Przykład
15.2.5. Użyteczny sprawdzian obliczeniowy
15.2.6. Projektowanie układów wielostopniowych
15.3. Projektowanie wzmacniacza kaskadowego dla dolnych częstotliwości
15.3.1. Obliczanie wartości rezystorów
15.3.2. Obliczanie wartości kondensatorów sprzęgających i blokujących
15.3.3. Sprawdzenie projektu za pomocą komputera
Zadania

16. Dalsze przykłady wzmacniaczy wielostopniowych
16.1. Projektowanie kaskady wzmacniaczy ze wspólnym emiterem
16.1.1. Obliczanie wzmocnienia
16.1.2. Obliczanie pasma
16.1.3. Sprawdzenie projektu
16.1.4. Zagadnienie polaryzacji
16.2. Wzmacniacz ze sprzężeniem emiterowym
16.2.1. Wstępna analiza
16.2.2. Projektowanie
16.2.3. Sprawdzenie projektu za pomocą komputera
16.3. Wzmacniacze wielostopniowe złożone równocześnie z tranzystorów unipolarnych i bipolarnych
16.3.1. Układ wspólne źródło-wspólna- baza
16.3.2. Układ wspólny dren-wspólna baza
16.4. Rozbudowane układy wielostopniowe
Zadania

17. Tranzystorowe wzmacniacze rezonansowe
17.1. Analiza jednostopniowego wzmacniacza rezonansowego
17.1.1. Rezonans równoległy w pasywnym obwodzie RLC
17.1.2. Wzmacniacz tranzystorowy z obciążeniem RLC
17.1.3. Niestabilność
17.1.4. Zestrajalność
17.2. Przykład: pojedynczy stopień wzmacniacza rezonansowego o wspólnym emiterze
17.2.1. Wzmacniacz 455 kHz z pojedynczym obwodem rezonansowym
17.2.2. Wzmacniacz 455 kHz z obwodami rezonansowymi na wejściu i wyjściu
17.2.3. Wielorezonansowe strojenie
17.2.4. Wzmacniacz rezonansowy 10,7 MHz
17.3. Przykład: wzmacniacz rezonansowy o sprzężeniu emiterowym
17.4. Pokazy doświadczalne do wykładów
Zadania

18. Sprzężenie zwrotne
18.1. Podstawowe własności wzmacniaczy ze sprzężeniem zwrotnym
18.1.1. Wzmocnienie
18.1.2. Zmniejszenie wrażliwości
18.1.3. Wpływ sprzężenia zwrotnego na sygnały uboczne
18.1.4. Wpływ sprzężenia zwrotnego na zniekształcenia
18.1.5. Podsumowanie
18.2. Cztery podstawowe topologie układów ze sprzężeniem zwrotnym
18.3. Analiza i projektowanie układów wykorzystujących porównanie węzła i próbkowanie węzła
18.3.1. Analiza czwórnikowa
18.3.2. Interpretacja układowa k i B
18.3.3. Przykład projektowania
18.3.4. Wzmocnienie pętli
18.3.5. Admitancje wejściowa i wyjściowa
18.3.6. Podsumowanie
18.4. Analiza i projektowanie układów wykorzystujących porównanie i próbkowanie oczka
18.4.1. Analiza czwórnikowa
18.4.2. Interpretacja układowa k i B
18.4.3. Przykład
18.5. Układy sprzężenia zwrotnego wykorzystujące porównanie węzła i próbkowanie oczka
18.6. Sprzężenie zwrotne wykorzystujące porównanie oczka i próbkowanie węzła
18.7. Podsumowanie
18.8. Pokazy doświadczalne do wykładów
18.8.1. Zmniejszenie przydźwięku sieci
18.8.2. Zmniejszenie zniekształceń
Zadania

19. Odpowiedz wzmacniacza ze sprzężeniem zwrotnym w stanie ustalonym i przejściowym: miejsce geometryczne pierwiastków
19.1. Problem stabilności
19.2. Obliczanie miejsca geometrycznego pierwiastków
19.2.1. Konstrukcja przybliżonych miejsc geometrycznych pierwiastków
19.2.2. Przykład obliczenia miejsca geometrycznego pierwiastków
19.2.3. Kryteria przydatności odpowiedzi
19.2.4. Kompensacja: modyfikacja układu sprzężenia zwrotnego
19.2.5. Kompensacja: dodanie pojemności do wzmacniacza podstawowego
19.2.6. Równoczesna modyfikacja k i p°
19.2.7. Kompensacja przez dodanie zer do k(s)
19.2.8. Podsumowanie
19.3. Przykłady projektowania
19.3.1. Oczkowo-oczkowe sprzężenie zwrotne
19.3.2. Wzmacniacz ze sprzężeniem zwrotnym, wykorzystujący porównanie oczka i próbkowanie węzła
19.4. Pokazy doświadczalne do wykładów
Zadania

20. Projektowanie wzmacniaczy ze sprzężeniem zwrotnym ze względu
20.1. Teoria
20.1.1. Kryterium Nyquista
20.1.2. Kryteria przydatności odpowiedzi
20.2. Przykład obliczeń na osi urojonej
20.2.1. Projekt wstępny
20.2.2. Kompensacja: zmniejszenie przesunięcia fazy dla górnych częstotliwości'
20.2.3. Kompensacja: dodanie kondensatora do wzmacniacza podstawowego
20.3. Niestabilność dla dolnych częstotliwości
Zadania

21. Praca tranzystorów bipolarnych poza obszarem aktywnym
21.1. Układy zastępcze dla dowolnych wartości napięć na złączach
21.1.1. Ładunek w obszarze neutralnym bazy
21.1.2. Podział na składowe: normalną i zwrotną
21.2. Statyczne układy zastępcze Ebersa-Molla
21.2.1. Układ zastępczy Ebersa-Molla dla tranzystora p-n-p
21.2.2. Układ zastępczy Ebersa-Molla dla tranzystora n-p-n
21.2.3. Układy zastępcze o uzależnieniu od prądów zewnętrznych
21.3. Dynamiczne układy zastępcze
21.3.1. Ładunkowy układ zastępczy tranzystora p-n-p
21.3.2. Związki pomiędzy parametrami ładunkowego układu zastępczego i układu Ebersa-Molla
21.3.3. Ładunkowy układ zastępczy dla tranzystora p-n-p z uwzględnieniem pojemności warstw ładunku przestrzennego
21.3.4. Związki między ładunkowym układem zastępczym a układem typu hybrydowe n
21.3.5. Ładunkowy układ zastępczy tranzystora n-p-n
21.4. Obszary pracy tranzystora
21.4.1. Praca w obszarze aktywnym
21.4.2. Obszar odcięcia
21.4.3. Obszar nasycenia
21.5. Zastosowania układów zastępczych Ebersa-Molla
21.5.1. Określenie wartości parametrów
2Ł5.2. Charakterystyki przenoszenia wzmacniacza
21.5.3. Charakterystyki statyczne przełącznika tranzystorowego
Zadania

22. Jednostopniowe układy cyfrowe
22.1. Niektóre podstawowe właściwości układów cyfrowych
22.2. Właściwości statyczne inwertora tranzystorowego
22.2.1. Charakterystyka przenoszenia
22.2.2. Właściwości logiczne
22.2.3. Warunki na stany statyczne.
22.3. Przejścia pomiędzy stanami
22.3.1. Przejście przez obszar odcięcia
22.3.2. Stany przejściowe w obszarze aktywnym
22.3.3. Obszar nasycenia
22.3.4. Czas magazynowania (przeciągania)
22.3.5. Czas opadania
22.3.6. Powrót do stanu ustalonego
22.4. Kondensator przyspieszający
22.5. Określenie wartości parametrów ładunkowego układu zastępczego tranzystora
22.5.1. Określenie parametrów na podstawie bezpośredniego pomiaru
22.5.2. Określenie parametrów ładunkowych na podstawie danych katalogowych
22.6. Rozwiązywanie równań ładunkowych za pomocą komputera
22.6.1. Metoda Runge-Kutta (czwartego rzędu)
22.6.2. Przykład: prosty inwertor
22.7. Pokazy doświadczalne do wykładów
22.7.1. Wprowadzenie
22.7.2. Stan przejściowy w procesie włączania
22.7.3. Stan przejściowy w procesie wyłączania
22.7.4. Kondensator przyspieszający
Zadania

23. Wielostopniowe układy cyfrowe (nieregeneracyjne)
23.1. Klasyfikacja układów cyfrowych
23.2. Tranzystorowo-rezystorowe układy logiczne o sprzężeniu bezpośrednim (DCTL, RTL)
23.2.1. Układy bramkujące RTL NOR
23.2.2. Margines napięciowy
23.2.3. Obciążalność wyjścia
23.2.4. Stopnie separujące
23.2.5. Szybkość przełączania
23.3. Inne przykłady nasyconych układów logicznych
23.3.1. Diodowo-tranzystorowy układ logiczny (DTL) .
23.3.2. Tranzystorowo-tranzystorowy układ logiczny (TTL, TZL)
23.4. Układy nienasycone
23.4.1. Zastosowanie diod poziomujących w celu zapobieżenia nasyceniu
23.4.2. Układy logiczne o sprzężeniu emiterowym (CML)
23.4.3. Podstawowy układ bramkujący CML OR-NOR
23.4.4. Metody sprzęgania układów CML
23.4.5. Odpowiedź układów CML na pobudzenie skokowe
23.5. Tranzystory polowe jako elementy przełączające
23.5.1. Charakterystyki przełączania
23.5.2. Bramki logiczne MOS
23.6. Pokazy doświadczalne do wykładów
Zadania

24. Wielostopniowe regeneracyjne układy przełączające
24.1. Bistabilne regeneracyjne układy przełączające
24.1.1. Podstawowy układ bistabilny
24.1.2. Zagadnienie stabilności
24.1.3. Analiza dwóch stanów stabilnych
24.1.4. Obliczanie małosygnałowej wartości transmitancji pętli
24.1.5. Zestawienie warunków bistabilności
24.1.6. Szybkość przełączania
24.1.7. Zagadnienie wyzwalania
24.1.8. Inne układy bistabilne
24.2. Układy monostabilne
24.2.1. Układ symetryczny
24.2.2. Inne układy monostabilne
24.2.3. Warunki pracy monostabilnej
24.3. Układy astabilne
24.3.1. Układ symetryczny
24.3.2. Układ o sprzężeniu emiterowym
24.3.3. Warunki pracy astabilnej .
24.4. Pokazy doświadczalne do wykładów
Zadania

Dodatek A. Modele i układy z lampami elektronowymi
A.1. Wprowadzenie
A.2. Konstrukcja j zasada działania diod i triod próżniowych
A.2.1. Konstrukcja triody
A.2.2. Emisja termoelektronowa
A.2.3. Własności struktury dwuelektrodowej - dioda
A.2.4. Wpływ siatki
A.2.5. Diody i triody jako podzespoły układów
A.3. Podstawowy układ wzmacniacza
A.3.1. Analiza graficzna
A.3.2. Przepływ energii
A.3.3. Metody graficzne w bardziej złożonych układach
A.3.4. Wzmacnianie liniowe
A.3.5. Sprzężenie i polaryzacja
A.4. Modelowanie i analiza liniowych układów aktywnych
A.4.I. Model małosygnałowy
A.4.2. Małosygnałowa analiza wzmacniacza
Zadania

Dodatek B. Elektronika fizyczna lampy próżniowej i modele układowe
B.1.Elektronika fizyczna lamp próżniowych .
B.1.1 Analiza statyczna diody i prawo trzech drugich
B.1.2. Zjawiska dynamiczne w diodach
B.1.3. Analiza statyczna triody
B.1.4. Zjawiska dynamiczne w triodach
B.1.5. Lampy wielosiatkowe
B.2. Modele układowe lamp elektronowych
B.2.1. Modele diod odcinkami liniowe
B.2.2. Modele triod odcinkami liniowe
B.2.3. Modele małosygnałowe triod
B.2.4. Modele układowe pentod
Zadania

Dodatek C. Program na obliczanie częstotliwości własnych sieci RC napisany w języku FORTRAN IV
C.1. Sposób posługiwania się programem
C.2. Program

Dodatek D. Program na obliczanie częstotliwości własnych sieci napisany w języku ABL.
D.1. Przykłady posługiwania się programem
D.2. Program

Literatura

Literatura dodatkowa do wydania polskiego
Skorowidz